一场席卷全球的内存短缺危机正悄然颠覆科技行业的游戏规则。摩根士丹利最新报告揭示，DDR5内存已陷入“不惜代价也难抢货”的极端紧张状态，AI浪潮推动的需求爆发与供给瓶颈交织，催生了近20年来最严重的存储供应链危机。这一背景下，美股存储概念股单日集体飙升，闪迪单日暴涨13%，美光、西部数据涨幅均超6%，资本市场用真金白银押注这场持续到2026年的超级周期。
内存市场的紧张态势首先体现在价格信号的全面异动上
摩根士丹利将2026年DRAM价格增长预期从26%上调至30%，接近2017-2018年超级周期水平。分析师指出，DDR5内存的供应危机最为严峻，客户普遍反馈“在任何价格下都无法获得产品”，这种代际性的短缺已从企业级市场蔓延至消费端。NAND闪存的价格同样持续攀升，美国银行预测其供应短缺将至少持续至2026年底，行业库存已降至危险水平。
供需失衡的根源在于AI革命对存储结构的颠覆性重构
大语言模型训练与推理需求呈指数级增长，以GPT-5为例，2025年将消耗全球DRAM供给的25%和NAND供给的22%。推理环节的KV缓存和RAG技术需占用大量高带宽内存，导致AI服务器对DRAM的需求达到普通服务器的8-10倍。HBM产能的扩张同时挤占了传统DRAM的资源，SK海力士的DDR5库存仅剩两周，陷入“生产即发货”的极限状态。
供给端的扩张瓶颈进一步加剧了这场危机
三星321层V8-NAND产能爬坡缓慢，2025年NAND比特出货量增速仅10%。尽管三星、海力士宣布增加资本支出，但新产能需至2026-2027年才能落地，无法缓解当前短缺。硬盘行业的高度集中化与长扩产周期（12-18个月）使HDD交货周期延长至2年以上，形成全链条供给约束。
资本市场的反应直接印证了基本面的剧烈变化
摩根士丹利将美光2026年EPS预期上调15%，闪迪上调20%，并强调“未来几个季度可能出现多次预期上调”。美光被列为行业首选，因其HBM技术领先地位可捕获AI服务器溢价；闪迪则凭借eSSD产能扩张及BiCS8制程升级，持续受益于数据中心需求。存储模组厂威刚董事长陈立判断，缺货深度与持续时间创20年新高，合约价上涨趋势至少延续2-3个季度。
行业巨头的战略调整暴露了供应链的深层矛盾
SK海力士将2026年资本支出提升至35万亿韩元，其中90%投向DRAM，重点扩产HBM。摩根士丹利指出，PC OEM厂商声称“内存不是问题”的言论具有误导性，关键矛盾在于企业为获取供应需承担大幅涨价协议和严格违约条款。英伟达等AI芯片巨头虽能转嫁内存成本，但其他芯片厂商将面临利润挤压。
中国厂商的潜在影响在此轮周期中被重新评估
摩根士丹利认为，长江存储等中国企业的资本支出虽高于长期趋势，但对全球供需平衡影响有限。当前NAND市场的供需失衡程度远超YMTC可能带来的几个百分点冲击，地缘政治因素并未改变短缺本质。全球存储市场的竞争格局正从成本导向转向技术迭代与产能分配效率的比拼。
存储模组厂商成为产业链缺货潮的间接受益者
德明利、江波龙等公司借助NAND颗粒价格上涨提升存储模组议价能力，消费级、工规级及车规级产品需求同步攀升。朗科科技等传统移动存储供应商在缺货背景下获得更强定价权，推动毛利率结构性改善。模组厂商的固件算法与封装设计能力，成为消化成本压力并实现出货增长的关键。
本轮周期的特殊性在于其由结构性需求而非周期性波动驱动
摩根士丹利强调，AI基础设施的资本支出（2026年超5000亿美元）具有持续性和低价格敏感性，与传统消费电子的短周期截然不同。库存天数降至历史低点（DRAM仅3.3周），且HBM的高资本支出强度导致每单位产能所需的投资大幅增加。存储厂商的盈利改善并非短期价格反弹所致，而是技术代际更迭与AI需求占比提升带来的永久性变化。#图文作者引入成长激励计划#
